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CVD/PECVD 腔体核心备件一站式供应商 — 为刻蚀、沉积、光刻等工艺提供高性能零部件解决方案

分类 01

腔体核心部件

反应腔里的关键件,一站式配齐 — 静电卡盘 · 喷淋头 · 阻隔板 · 抽气衬管

静电卡盘 ESC 技术示意图 静电卡盘技术示意图,展示陶瓷吸附面、多温区环带、顶针孔与背面基座结构 ELECTROSTATIC CHUCK
核心产品 / ESC

静电卡盘 ESC

自研 Johnsen-Rahbek(JR)静电卡盘,高品质陶瓷精密加工——吸附均匀性、温控精度与耐等离子体腐蚀能力,直接关系制程良率。

技术参数

参数 规格
兼容晶圆尺寸 12英寸(支持定制)
吸附方式 Johnsen-Rahbek (JR) 型
陶瓷材质 Al₂O₃ + AlN
工作温度 RT ~ 400°C
吸附力 5 ~ 30 kPa
温区数量 多温区(按需定制)
耐等离子体腐蚀 耐含氟/氯等离子体

※ 更多技术参数及定制方案请联系我司获取

应用工艺

刻蚀 Etch CVD 化学气相沉积 PVD 物理气相沉积 离子注入 光刻
喷淋头 Showerhead 技术示意图 喷淋头技术示意图,展示微孔阵列气体分布面板 SHOWERHEAD
旗舰产品 / Showerhead

喷淋头 Showerhead

微孔阵列精度与面型质量直接决定薄膜沉积均匀性,PECVD 中兼作上电极;高纯石英/镍基合金可选 SiC 涂层、硬质阳极氧化,兼容主流 CVD/PECVD/ALD 平台,按图纸定制。

技术参数

参数 规格
适用工艺 CVD / PECVD / ALD
兼容晶圆尺寸 150mm – 300mm(6–12英寸)
主体材质 高纯石英 / 镍基合金 / 铝合金
表面处理(可选) SiC涂层 / 硬质阳极氧化 / 专用功能涂层
工作温度 最高 800°C(石英款)
定制支持 按图纸定制,兼容主流机型

※ 更多技术参数及定制方案请联系我司获取

应用工艺

CVD 化学气相沉积 PECVD 等离子体增强CVD ALD 原子层沉积
腔体部件 / Blocker Plate

阻隔板 Blocker Plate

喷淋头气室内预匀化部件:开孔布局整流气流、改善膜厚均匀性,屏蔽上游颗粒、降低微缺陷;铝合金/镍基合金,硬质阳极氧化或镀镍,符合 SEMI 标准。

技术参数

参数 规格
适用工艺 CVD / PECVD
主体材质 铝合金 / 镍基合金(一体式结构)
表面处理(可选) 硬质阳极氧化 / 镀镍
工作温度 最高 400°C
洁净交付 符合 SEMI 标准,Class 100 洁净级
定制支持 开孔方案按工艺需求定制

※ 更多技术参数及定制方案请联系我司获取

应用工艺

CVD 化学气相沉积 PECVD 等离子体增强CVD
阻隔板 Blocker Plate 技术示意图 阻隔板技术示意图,展示开孔分布 BLOCKER PLATE
抽气衬管 Pumping Liner 技术示意图 抽气衬管技术示意图,展示流线型排气通道 PUMPING LINER
腔体部件 / Pumping Liner

抽气衬管 Pumping Liner

排气通道流线型衬管:优化抽气流场、隔离腐蚀性气体,减少副产物沉积、延长维护周期;石英/陶瓷/YSZ 选型,模块化快换,兼容 CVD/PECVD/Etch 平台。

技术参数

参数 规格
适用工艺 CVD / PECVD / Etch
材质选型 石英 / 陶瓷 / YSZ
耐温上限 ≤1200°C(长期,石英款)
洁净等级 ISO Class 1
安装方式 点接触 / 卡槽式(模块化快拆)
表面状态(可选) 抛光 / 喷砂

※ 更多技术参数及定制方案请联系我司获取

应用工艺

刻蚀 Etch CVD 化学气相沉积 PECVD
分类 02

热管理部件

控得住温度,才控得住工艺 — 气箱加热器 · 冷却板

热管理 / Gasbox Heater

气箱加热器(Gasbox Heater)

维持气体温度高于露点,防冷凝堵塞、补偿长距离输送热损失;环形结构,接口与尺寸按腔体定制,粘贴式/缠绕式安装。

技术参数

参数 规格
适配腔体尺寸 12英寸(支持定制)
结构形式 环形加热器
加热元件类型 电阻加热丝
基体材料 不锈钢(304/316) / 铝合金
温度范围 RT ~ 200°C
长期耐温 250°C
安装方式 粘贴式 / 缠绕式
防护等级 IP65
安装接口 按客户图纸定制

※ 更多技术参数及定制方案请联系我司获取

应用工艺

CVD 化学气相沉积 PVD 物理气相沉积 刻蚀 Etch ALD 原子层沉积 MOCVD
气箱加热器 Gasbox Heater 技术示意图 环形电阻加热器技术示意图,展示环形加热体、发热回路、安装卡扣与引出线 GASBOX HEATER
冷却板 Chiller Plate 技术示意图 半导体制造设备冷却板技术示意图,展示冷却板外形与流道布局 CHILLER PLATE
热管理 / Chiller Plate

冷却板 Chiller Plate

快速均匀降温与高精度温控,抑制腔壁副产物沉积;铝合金埋铜管与精密铣削流道两种结构,流道与冷却介质按工艺定制。

技术参数

参数 规格
温度范围 10°C ~ 150°C(高精度温控)
冷却介质 去离子水(DIW)/ 水乙二醇混合液
基板材料 铝合金 / 不锈钢 / 无氧铜
表面处理(可选) 化学镀镍 / 阳极氧化
接口标准 VCR / NPT / UQD 等,按机型配置

※ 更多技术参数及定制方案请联系我司获取

应用工艺

刻蚀 Etch CVD PVD 离子注入 快速热处理 RTP
分类 03

气路与控制

从气源到腔室的稳定输送 — 气体分配箱 · 旁通阀

气路与控制 / Gas Box

气体分配箱 Gas Box

集成流量控制、阀门、过滤与压力监控的气路枢纽;提供设计、洁净组装到整体测试一站式交付,铝合金/不锈钢箱体多通道配置。

技术参数

参数 规格
通道配置 1 – 24 路,按需灵活配置
箱体材质 铝合金 / 不锈钢
管路标准 超高洁净级不锈钢管路
安全配置(可选) 泄漏检测 / 紧急切断阀
交付能力 气路设计 – 洁净组装 – 整体测试一站式

※ 更多技术参数及定制方案请联系我司获取

应用工艺

CVD / PECVD 刻蚀 Etch 扩散 Diffusion
气体分配箱 Gas Box 技术示意图 气体分配箱技术示意图,展示多通道气路集成结构 GAS BOX MULTI-CHANNEL DELIVERY
旁通阀 By-Pass Valve 技术示意图 旁通阀技术示意图,展示主路与旁通并联结构 BY-PASS VALVE FLOW REDUNDANCY
气路与控制 / By-Pass Valve

旁通阀 By-Pass Valve

并联主气路,用于工艺路径切换与安全冗余保护;316L 锻造阀体,Viton®/Kalrez®/PTFE 密封多选型——高密封、低泄漏、长寿命。

技术参数

参数 规格
阀体材质 316L 不锈钢 / 铝合金
密封材质(可选) Viton® / Kalrez® / PTFE
工作压力 真空 ~ 10 bar
工作温度 -50°C ~ 200°C
连接方式 VCR / Swagelok / 法兰

※ 更多技术参数及定制方案请联系我司获取

更多产品

其他产品

定制产品

密封件

半导体设备专用高真空密封件,采用耐高温、耐腐蚀材料制造,确保工艺腔体气密性。

定制产品

真空泵配件

半导体设备真空系统配件,包括泵体配件、阀门、管道接头等,兼容主流真空泵品牌。

定制产品

定制零部件

根据客户图纸和工艺需求定制各类半导体设备精密零部件,提供从设计到制造的一站式服务。

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